[发明专利]制造具有最小应力的异质结构的方法有效
| 申请号： | 201010560549.8 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102110591A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | A·沃夫尔达奇 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造具有最小应力的异质结构的方法，包括将第一晶片(110)键合到第二晶片(120)的步骤(S5)，其中第一晶片(110)的热膨胀系数低于第二晶片(120)的热膨胀系数，以及至少一个键合增强退火步骤(S7)。所述方法的特征特别在于，所述方法包括：在键合步骤(S5)之后以及所述键合增强退火步骤(S7)之前，至少部分地修整第一晶片(110)的至少一个修整步骤(S6)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 最小 应力 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制造异质结构的方法，包括将第一晶片(110)键合到第二晶片(120)的步骤，其中第一晶片(110)的热膨胀系数低于第二晶片(120)的热膨胀系数，以及至少一个键合增强退火步骤，其特征在于，所述方法包括：在键合步骤之后以及所述至少一个键合增强退火步骤之前的，至少部分地修整第一晶片(110)的至少一个修整步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
