[发明专利]基板处理装置及其清洁方法有效
| 申请号： | 201010561532.4 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102117733A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 本田昌伸;村上贵宏;三村高范;花冈秀敏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/687;H01J37/36 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种基板处理装置及其清洁方法，不使下部电极的自偏压升高就能够提高基板载置台的附着物的去除率。在规定处理条件下清洁处理室(102)内时，按照根据下部电极(111)的自偏压以如下方式设定的流量比将含有O2气体和惰性气体的处理气体提供给处理室内，对下部电极(111)与上部电极(120)的电极之间施加高频电力来产生等离子体，该方式为：上述下部电极的自偏压的绝对值越小，上述O2气体的流量比越小，而惰性气体的流量比越大。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 及其 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置的清洁方法，对基板处理装置的处理室内进行清洁，该处理室构成为能够减压，在该处理室内相对置地配置有上部电极和下部电极并且具备设置有上述下部电极的基板载置台，该基板处理装置的清洁方法的特征在于，在规定处理条件下清洁上述处理室内时，按照根据上述下部电极的自偏压以如下方式设定的流量比将含有O2气体和惰性气体的处理气体提供给上述处理室内，对上述上部电极和上述下部电极之间施加高频电力来产生等离子体，该方式为：上述下部电极的自偏压的绝对值越小，上述O2气体的流量比越小，而惰性气体的流量比越大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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