[发明专利]量子点分子发光器件无效
| 申请号： | 201010562068.0 | 申请日： | 2010-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102097564A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 田芃;黄黎蓉;石中卫;黄德修;元秀华;阎利杰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L31/12;H01L33/04;H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王守仁 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及量子点分子发光器件，该发光器件自下而上依次包含以下结构：下金锗镍金属电极层（1）、镓砷衬底（2）、镓砷缓冲层（3）、n型铝镓砷下包层（4）、镓砷下限制波导层（5）、量子点分子有源区、镓砷上限制波导层（9）、p型铝镓砷上包层（10）、p型镓砷欧姆接触层（11）、二氧化硅绝缘层（12）、上钛铂金金属电极层（13）；所述量子点分子有源区包含n个量子点分子层，每一个量子点分子层包括量子点分子（6）、应力缓冲层（7）和隔层（8），n为自然数，n≥1。本发明利用侧向耦合的量子点分子制成有源区结构及相应的发光器件，拓宽了量子点的应用范围，改善了低维半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 分子 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种量子点分子发光器件，其特征是一种量子点分子为有源区结构的发光器件，该发光器件自下而上依次包含以下结构：下金锗镍金属电极层（1）、镓砷衬底（2）、镓砷缓冲层（3）、n型铝镓砷下包层（4）、镓砷下限制波导层（5）、量子点分子有源区、镓砷上限制波导层（9）、p型铝镓砷上包层（10）、p型镓砷欧姆接触层（11）、二氧化硅绝缘层（12）、上钛铂金金属电极层（13）；所述量子点分子有源区包含n个量子点分子层，每一个量子点分子层包括量子点分子（6）、应力缓冲层（7）和隔层（8），n为自然数，n≥1。
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