[发明专利]一种高居里点低铅压电陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010563341.1 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102060528A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王野;韩绍娟;钟玲;薛健;张明;张帆 | 申请（专利权）人： | 法库县矿产资源研究发展中心 |
| 主分类号： | C04B35/472 | 分类号： | C04B35/472;C04B35/622 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110400 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高居里点低铅压电陶瓷材料及其制备方法，属于功能陶瓷应用技术领域。用Bi对PZT陶瓷进行取代改性，采用模板晶粒生长法(TGG)制备出一种低铅压电陶瓷材料，并改善其居里温度。其化学式为Bi(Zn1/2Ti1/2)O3-PbTiO3。可以广泛应用于航天、石化、冶金、地质勘探等众多重要科研与工业部门，例如高温加速度计、高温传感器、涡街流量计以及螺栓孔冷胀工艺中的压电装置等。本发明的效果是：在制备过程中用Bi来替代部分Pb，不仅可以有效减少陶瓷中Pb的含量，增加压电陶瓷的环境协调性，而且还增加了材料的居里温度，扩展了其使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 居里 点低铅 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高居里点低铅压电陶瓷材料，其化学式为Bi(Zn1/2Ti1/2)O3‑PbTiO3。
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