[发明专利]双大马士革结构的形成方法有效
| 申请号： | 201010563681.4 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102479747A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 康芸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双大马士革结构的形成方法，首先对第一介质层、第二介质层和保护层进行刻蚀，第一介质层、第二介质层和保护层的开口宽度为预设的通孔的开口宽度，然后对保护层进行刻蚀，保护层的开口宽度为预设的沟槽的开口宽度，沉积第一扩散阻挡层并进行反溅射处理，以保护层和保护层侧表面的第一扩散阻挡层为掩膜对第二介质层进行刻蚀。采用本发明公开的方法提高了半导体器件的绝缘性能。 | ||
| 搜索关键词： | 大马士革 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种双大马士革结构的形成方法，该方法包括：提供一基底，在基底上依次形成第一介质层、第二介质层和保护层；对第一介质层、第二介质层和保护层进行刻蚀，第一介质层、第二介质层和保护层的开口宽度为预设的通孔的开口宽度；对保护层进行刻蚀，保护层的开口宽度为预设的沟槽的开口宽度，所述沟槽的开口宽度大于所述通孔的开口宽度；沉积第一扩散阻挡层并进行反溅射处理；以保护层和保护层侧表面的第一扩散阻挡层为掩膜对第二介质层进行刻蚀；沉积第二扩散阻挡层和铜籽晶层；采用电化学镀ECP工艺生长金属铜后，并采用化学机械研磨CMP工艺将金属铜、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层、铜籽晶层和保护层抛光至第二介质层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
