[发明专利]一种电子发射体的制备方法有效
| 申请号： | 201010564718.5 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102024639A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子发射体的制备方法，其包括以下步骤：提供一线状支撑体；提供至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线，将所述至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线缠绕在所述线状支撑体表面形成一碳纳米管层；移除所述线状支撑体，得到一由碳纳米管层围成的管状碳纳米管预制体；以及将该管状的碳纳米管预制体熔断获得电子发射体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 发射 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电子发射体的制备方法，其包括以下步骤：提供一线状支撑体；提供至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线，将所述至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线缠绕在所述线状支撑体表面形成一碳纳米管层；移除所述线状支撑体，得到一由碳纳米管层围成的管状碳纳米管预制体；以及将该管状的碳纳米管预制体熔断获得电子发射体。
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