[发明专利]一种高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法无效
| 申请号： | 201010565053.X | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102080257A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 徐锋;陈光;杜宇雷;李永胜 | 申请（专利权）人： | 无锡南理工科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/10;C30B29/42;C30B29/40;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 唐代盛 |
| 地址： | 214192 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法，完成分子束外延设备/系统的各项生长准备程序，在生长腔中外延生长GaAs(001)高温缓冲层，以提高异质生长的界面质量；然后降温至设定生长温度，生长InAs浸润层，随后在该生长温度采用间歇式沉积的方法生长In1-xMnxAs纳米点，0.23≤x≤0.56；沉积结束后将衬底温度降温，将样品连同样品台自缓冲腔和进出腔取出，并从样品台上取下。本发明采用间隙式生长方式，得到的高Mn含量(In，Mn)As纳米点外延生长于GaAs(001)单晶表面，保持GaAs(001)单晶的闪锌矿结构，而其中Mn替代In的浓度高达23-56％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mn 含量 in as 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)完成分子束外延设备/系统的各项生长准备程序：确认系统中安装有In、Mn、Ga、As源；在超净间将GaAs(001)单晶衬底切割并用In粘附于样品台上；在进出腔中对于衬底及样品台进行去水气烘烤，在缓冲腔中对于衬底及样品台进行去有机杂质的烘烤；用液氮冷却生长腔，以提高背景真空度；(2)在生长腔中外延生长GaAs(001)高温缓冲层，以提高异质生长的界面质量；然后降温至设定生长温度，生长InAs浸润层，随后在该生长温度采用间歇式沉积的方法生长In1‑xMnxAs纳米点，0.23≤x≤0.56；(3)沉积结束后将衬底温度降温，将样品连同样品台自缓冲腔和进出腔取出，并从样品台上取下。
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