[发明专利]一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构有效
| 申请号： | 201010565520.9 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479817A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 朱超群;钟树理;任文珍;曾爱平;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：漏极、第一导电型半导体衬底及外延层；第一导电型半导体外延层内包括隔开的第二导电型半导体第一阱区、第二导电型半导体第二阱区；第二导电型半导体第一阱区内部设有第一导电型半导体第一源区，第二导电型半导体第二阱区内部设有第一导电型半导体第二源区；第一导电型半导体第一源区、第二导电型半导体第一阱区上部分覆盖有第一源极区域，第一导电型半导体第二源区、第二导电型半导体第二阱区部分覆盖有第二源极区域；第一、第二源极区域之间设有栅氧化层；栅氧化层上部设有栅极；栅氧化层与外延层之间间断设有场氧化层。该结构器件能提高器件开关速度，降低器件的通态电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 结构 | ||
【主权项】：
一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，从下往上依次包括：漏极、第一导电型半导体衬底、第一导电型半导体外延层；所述第一导电型半导体外延层内包括隔开的第二导电型半导体第一阱区、第二导电型半导体第二阱区；第二导电型半导体第一阱区内部设有第一导电型半导体第一源区，第二导电型半导体第二阱区内部设有第一导电型半导体第二源区；所述第一导电型半导体第一源区、第二导电型半导体第一阱区上部分覆盖有第一源极区域，第一导电型半导体第二源区、第二导电型半导体第二阱区部分覆盖有第二源极区域；第一源极区域与所述第二源极区域之间设有栅氧化层；栅氧化层上部设有栅极；所述栅氧化层与外延层之间间断设有场氧化层。
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