[发明专利]一种半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层；在所述层间介电层上形成第一光刻胶层并图形化，形成开口图形；以第一光刻胶层为掩膜，沿开口图形刻蚀至半导体衬底，形成开口；去除第一光刻胶层；在所述层间介电层上形成超低k介电层，并填充满开口；平坦化超低k介电层至露出层间介电层；在所述超低k介电层上形成第二光刻胶层，并形成沟槽或通孔图形；以第二光刻胶层为掩膜刻蚀超低k介电层，形成沟槽或通孔。本发明的半导体器件形成方法，可以减少在刻蚀、去光阻过程中对超低k介电层的损伤，从而减小超低k介电层k值发生漂移及电容发生大幅变化，提高半导体器件的稳定性和可靠性。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层；在所述层间介电层上形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行图形化处理，形成开口图形；以第一光刻胶层为掩膜，沿开口图形刻蚀层间介电层至露出半导体衬底，形成开口；去除第一光刻胶层；在层间介电层上形成超低k介电层，并将超低k介电层填充满开口；平坦化所述超低k介电层至露出层间介电层；在层间介电层和超低k介电层上形成第二光刻胶层，经过光刻工艺，在第二光刻胶层上定义出沟槽图形或通孔图形，所述沟槽图形或通孔图形的位置对应层间介电层；以第二光刻胶层为掩膜，沿沟槽图形或通孔图形刻蚀层间介电层至露出半导体衬底，形成沟槽或通孔，所述沟槽或通孔与超低k介电层之间由层间介电层间隔。