[发明专利]一种镁离子荧光传感器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010567985.8 申请日: 2010-12-01
公开(公告)号: CN102053079A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 靳兰;郭志洁;何丹丹;卫敏 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 张水俤
地址: 100029 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于荧光传感器制备技术领域的一种有机-无机复合材料作为镁离子荧光传感器及其制备方法。本发明利用水滑石层间阴离子具有可交换性,将1-萘胺-3,6,8-三磺酸通过离子交换法插入到水滑石层间,然后通过电化学沉积的方法制备成膜,最后考察薄膜传感器对镁离子的荧光响应。制备的镁离子荧光传感器,其中水滑石无毒、稳定、有良好的生物相溶性;与聚合物载体不同,水滑石的无机层板不易老化,可以长久的保存,从而保持荧光分子的光学稳定性,并显著提高其热稳定性;该传感器对镁离子有很好的选择性并在一定范围内呈现出线性关系,且具有可重复操作性。
搜索关键词: 一种 离子 荧光 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种镁离子荧光传感器的制备方法,其特征在于,其具体制备步骤为:a.制备水滑石前体,所述水滑石前体的化学式为Zn1‑xAlx(OH)2(NO3)x·mH2O,其中0.2≤x≤0.33,m为结晶水数量,取值范围为0.5‑9;b.配制浓度为5‑30g/L的1‑萘胺‑3,6,8‑三磺酸溶液,用氢氧化钠调节溶液pH值为6‑7后加入0.1‑1g步骤a制备的水滑石前体,在N2保护下搅拌,25‑30℃下反应24‑60小时,产物用去CO2水洗涤、离心,得到1‑萘胺‑3,6,8‑三磺酸插层水滑石;c.取0.5‑2g步骤b制备的1‑萘胺‑3,6,8‑三磺酸插层水滑石溶于50‑100ml乙醇溶液中超声5‑15分钟,将混合溶液置于高速离心机,设置转速为3000‑10000转/分,离心5‑10分钟,取上层胶体溶液;d.取步骤c得到的上层胶体溶液10‑30ml置于电化学沉积液体池中,将面积为2‑6cm2导电玻璃FTO片夹于两电极上,设置电压为30‑80v,1‑6分钟后将阴极的导电玻璃FTO片取出,烘干即为镁离子荧光传感器。
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