[发明专利]光学平台的形成方法有效
| 申请号： | 201010568274.2 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479890A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李凡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种光学平台的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的上表面和下表面；使用干法刻蚀，在所述半导体衬底的上表面形成凹槽，在所述凹槽底部的半导体衬底中形成通孔，所述通孔贯穿所述半导体衬底；对所述半导体衬底进行氧化，在所述半导体衬底的上表面、下表面和侧壁，以及所述凹槽和通孔的表面形成氧化膜；形成金属层，覆盖所述半导体衬底的上表面、下表面的氧化膜，以及所述凹槽和通孔表面的氧化膜。本发明工艺较为简单，便于工业应用，而且可控性较强。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 平台 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种光学平台的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的上表面和下表面；使用干法刻蚀对所述半导体衬底的上表面进行刻蚀，在所述半导体衬底的上表面形成凹槽，在所述凹槽底部的半导体衬底中形成通孔，所述通孔贯穿所述半导体衬底；对所述半导体衬底进行氧化，在所述半导体衬底的上表面、下表面和侧壁，以及所述凹槽和通孔的表面形成氧化膜；形成金属层，覆盖所述半导体衬底的上表面、下表面的氧化膜，以及所述凹槽和通孔表面的氧化膜。
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