[发明专利]一种垂直沟道恒流二极管无效
| 申请号： | 201010568353.3 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102487088A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 刘桥 | 申请（专利权）人： | 贵州煜立电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550001 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种垂直沟道恒流二极管，包括衬底，衬底上设有一层外延层，外延层上设有一组P+扩散区，在每个P+扩散区之间设有与负电极连接N+区，外延层的边缘设有绝缘层；衬底与正电极连接，外延层和P+扩散区与负电极连接。本发明是一种可获得不同恒定电流物理特性产品。可提供较大的正向恒定电流，具有恒电流启动电压低，高速，高反向电压的电物理特性。采用半导体PN结空间电荷区可控制的方法实现沟道电阻的自动调节。实现了用恒流二极管直接驱动恒流负载的目的。由于不需要通过电子线路就可为恒流负载提供大恒流源，简化了结构，缩小了体积，提高了可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 沟道 二极管 | ||
【主权项】：
一种垂直沟道恒流二极管，其特征在于：包括衬底（4），衬底（4）上设有一层外延层（3），外延层（3）上设有一组P+扩散区（6），在每个P+扩散区（6）之间设有与负电极（1）连接N+ 区（7），外延层（3）的边缘设有绝缘层（2）；衬底（4）与正电极（5）连接，外延层（3）和P+扩散区（6）与负电极（1）连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州煜立电子科技有限公司，未经贵州煜立电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010568353.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：旋转展示用花盆
- 下一篇：测量高导性热性固体材料热导率的装置
- 同类专利
- 专利分类
