[发明专利]刻蚀方法和系统有效
| 申请号： | 201010568456.X | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102486987A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 胡骏;李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀方法和系统，该方法包括：主刻蚀停止后，判断所述主刻蚀停止时是否捕捉到了刻蚀停止点，如果否，进入过刻蚀步骤继续捕捉刻蚀停止点，所述过刻蚀步骤在达到预设的最大过刻蚀时间时，以及捕捉到刻蚀停止点之后，再经过了正常的过刻蚀时间时自动停止；所述过刻蚀停止后，判断所述过刻蚀停止前是否捕捉到了刻蚀停止点，如果是，根据刻蚀厚度和最大主刻蚀时间，得出最大主刻蚀时间的修正值；采用所述最大主刻蚀时间的修正值进行下一次刻蚀过程。本发明实施例通过引入判断机制以及时间反馈机制，通过控制刻蚀设备的刻蚀方式，避免了现有技术中因过早的停止主刻蚀，而导致的过刻蚀之后的刻蚀残留以及器件CD偏大等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种刻蚀方法，其特征在于，包括：主刻蚀停止后，判断所述主刻蚀停止时是否捕捉到了刻蚀停止点，如果否，则进入过刻蚀步骤继续捕捉刻蚀停止点，所述过刻蚀步骤在达到预设的最大过刻蚀时间时自动停止，以及捕捉到刻蚀停止点之后，再经过了正常的过刻蚀时间时自动停止；所述过刻蚀停止后，判断所述过刻蚀停止前是否捕捉到了刻蚀停止点，如果是，根据刻蚀厚度和最大主刻蚀时间，得出最大主刻蚀时间的修正值；采用所述最大主刻蚀时间的修正值进行下一次刻蚀过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
