[发明专利]用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法无效
申请号: | 201010568673.9 | 申请日: | 2010-12-02 |
公开(公告)号: | CN102110592A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 陈鹏;王栾井;宋雪云;谭崇斌;徐峰;徐洲;吴真龙;高峰 | 申请(专利权)人: | 南京大学扬州光电研究院 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法,属于半导体技术领域,本发明先在蓝宝石衬底上利用光刻技术制备光刻图形,再利用真空蒸镀设备在蓝宝石衬底上蒸镀多层金属结构A/Ni/B/Ni/C/Ni……作为刻蚀蓝宝石衬底的掩膜层,然后将蓝宝石衬底放入与所用光刻胶相对应的去胶剂中,进行光刻胶剥离工艺,完成金属掩膜结构的制备。制成的半成品——具有金属掩膜结构的蓝宝石衬底可以满足对蓝宝石衬底进行各种深度尺寸的干法刻蚀的工艺需求,可通过干法刻蚀技术进行表面加工。 | ||
搜索关键词: | 用于 刻蚀 蓝宝石 衬底 表面 加工 前期 生产 方法 | ||
【主权项】:
用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法,其特征在于包括以下步骤:1)光刻:在蓝宝石衬底上采用光刻技术制备光刻图形;2)蒸镀:采用真空蒸镀设备在蓝宝石衬底上蒸镀金属结构掩膜层;所述金属掩膜层为以金属Ni为间隔层的A/Ni/B/Ni/C/Ni……金属结构层,其中,A、B、C……为Ti、Cr、Al、In、Ag、Au、Sn或Cu中的任意一种,所述金属结构层的层数为1~100层;3)剥离:将蓝宝石衬底放入去胶剂中,剥离光刻胶。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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