[发明专利]覆盖形貌的光学临近效应修正方法有效
申请号: | 201010568915.4 | 申请日: | 2010-12-02 |
公开(公告)号: | CN102486605A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
发明(设计)人: | 陈福成;阚欢 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种覆盖形貌的光学临近效应修正方法,包括步骤:设计一组测试图形,测量当前层光刻胶图形对前层刻蚀图形的各覆盖尺寸测量值;根据各覆盖尺寸测量值、并结合光刻工艺和电性能确定当前层光刻胶图形覆盖前层刻蚀图形的覆盖尺寸规格值;根据覆盖尺寸规格值对各当前层线条图形的光刻尺寸进行调整,使当前层线条图形覆盖各不同光刻尺寸的前层线条图形覆盖尺寸都大于或等于覆盖尺寸规格值。本发明能够提高当前层光刻胶图形对前层刻蚀图形的覆盖能力、有效保证前层刻蚀图形的不同光刻尺寸的前层线条图形对应的覆盖尺寸都大于覆盖尺寸规格值,使后续的光刻工艺和电学性能满足工艺要求。 | ||
搜索关键词: | 覆盖 形貌 光学 临近 效应 修正 方法 | ||
【主权项】:
一种覆盖形貌的光学临近效应修正方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、设计一组测试图形,在平板片上形成前层刻蚀图形、在所述前层刻蚀图形上形成当前层光刻胶图形;所述前层刻蚀图形包括多个前层线条图形,所述当前层光刻胶图形包括多个当前层线条图形,在部分所述多个前层线条图形上覆盖有所述当前层线条图形,被覆盖的部分所述多个前层线条图形包括大于1的N种不同光刻尺寸,各所述当前层线条图形的光刻尺寸根据其对应覆盖的所述前层线条图形的光刻尺寸设计;测量所述N种不同光刻尺寸的所述前层线条图形上覆盖有各所述当前层线条图形的N种覆盖尺寸测量值;步骤二、根据所述N种覆盖尺寸测量值、并结合光刻工艺和电性能确定所述当前层光刻胶图形覆盖所述前层刻蚀图形的覆盖尺寸规格值;步骤三、根据所述覆盖尺寸规格值对各所述当前层线条图形的光刻尺寸进行调整,使调整后形成的所述当前层光刻胶图形覆盖所述前层刻蚀图形的结构满足所述N种不同光刻尺寸的所述前层线条图形上覆盖有各所述当前层线条图形的覆盖尺寸都大于或等于所述覆盖尺寸规格值。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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