[发明专利]一种制备择尤取向铜锡硫薄膜的方法无效
申请号: | 201010569112.0 | 申请日: | 2010-12-02 |
公开(公告)号: | CN102094191A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 刘科高;李阳;纪念静;逄波 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
主分类号: | C23C18/31 | 分类号: | C23C18/31 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种制备择尤取向铜锡硫薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将CuCl2·2H2O、SnCl2·2H2O、硫脲放入溶剂中,并调整pH值,旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,最后进行干燥,得到铜锡硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜锡硫光电薄膜择尤取向生长且有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜锡硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 取向 铜锡硫 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种制备择尤取向铜锡硫薄膜的方法,包括如下顺序的步骤:a.玻璃基片的清洗;b.将CuCl2·2H2O、SnCl2·2H2O、CH4N2S(硫脲)放入30~150份的溶剂中,使溶液中的物质均匀混合,并调整PH值至3~10;c.制作外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片,并烘干,得到前驱体薄膜样品;d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触;e.将步骤d所得产物,进行干燥,得到择尤取向铜锡硫薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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