[发明专利]一种制备择尤取向铜锡硫薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201010569112.0 申请日: 2010-12-02
公开(公告)号: CN102094191A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 刘科高;李阳;纪念静;逄波 申请(专利权)人: 山东建筑大学
主分类号: C23C18/31 分类号: C23C18/31
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250101 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种制备择尤取向铜锡硫薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将CuCl2·2H2O、SnCl2·2H2O、硫脲放入溶剂中,并调整pH值,旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,最后进行干燥,得到铜锡硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜锡硫光电薄膜择尤取向生长且有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜锡硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
搜索关键词: 一种 制备 取向 铜锡硫 薄膜 方法
【主权项】:
一种制备择尤取向铜锡硫薄膜的方法,包括如下顺序的步骤:a.玻璃基片的清洗;b.将CuCl2·2H2O、SnCl2·2H2O、CH4N2S(硫脲)放入30~150份的溶剂中,使溶液中的物质均匀混合,并调整PH值至3~10;c.制作外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片,并烘干,得到前驱体薄膜样品;d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触;e.将步骤d所得产物,进行干燥,得到择尤取向铜锡硫薄膜。
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