[发明专利]沟槽隔离形成方法无效
| 申请号： | 201010569760.6 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102487031A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 牟亮伟;侯宏伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽隔离形成方法，该方法包括：采用低压化学气相淀积工艺在半导体晶片表面上形成第一氧化硅层；在第一氧化硅层中刻蚀形成沟槽图形；以刻蚀后的第一氧化硅层为掩模在半导体晶片中刻蚀形成沟槽；去除第一氧化硅层；进行沟槽氧化，在沟槽表面上形成氧化硅绝缘区；采用低压化学气相淀积工艺淀积多晶硅填充沟槽；进行多晶硅平坦化回蚀。本发明提供的技术方案，采用了低压化学气相淀积工艺填充沟槽，并采用平坦化回蚀工艺平坦化晶片表面，无需使用成本较高的高密度等离子气体化学气相淀积设备和化学机械平坦化设备，且能够和现有的工艺平台相兼容，便于大规模的应用于实际生产中。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽隔离形成方法，其特征在于，包括：采用低压化学气相淀积工艺在半导体晶片表面上形成第一氧化硅层；在第一氧化硅层中刻蚀形成沟槽图形；以刻蚀后的第一氧化硅层为掩模在半导体晶片中刻蚀形成沟槽；去除第一氧化硅层；进行沟槽氧化，在沟槽表面上形成氧化硅绝缘区；采用低压化学气相淀积工艺淀积多晶硅填充沟槽；进行多晶硅平坦化回蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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