[发明专利]镀氮化硅减反射膜的方法无效
| 申请号： | 201010570483.0 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102185012A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 钱明星;郭建东;樊选东;汪琴霞;罗军 | 申请（专利权）人： | 江阴浚鑫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 214443 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种镀氮化硅减反射膜的方法，包括：向炉管充氮气，将插有硅片的石墨舟放进该炉管；保持炉内温度c1；进行压力测试，保证压力恒定；氨气吹扫及预沉积，温度为c1，氨气体积为4～5L，射频功率为2000～3000w，时间为100～200s；依次进行三次沉积，各次沉积温度依次下降预设度数c2，其他工艺参数均为：氨气流量为3500～4500sccm，硅烷流量为450～600sccm，射频功率为2000～3000w，持续时间为250～300s，占空比为5∶50，压强为180～200Pa；镀氮化硅减反射膜过程结束。本发明实施例改善氮化硅薄膜的均匀性，从而提高太阳能电池片的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 减反射膜 方法 | ||
【主权项】：
一种镀氮化硅减反射膜的方法，其特征在于，包括：向炉管充氮气，将插有硅片的石墨舟放进该炉管；保持炉内温度c1＝455～465℃，时间至少为8分钟；进行压力测试，保证压力恒定；氨气吹扫及预沉积，温度为c1，氨气体积为4～5L，射频功率为2000～3000w，时间为100～200s；依次进行三次沉积，各次沉积温度依次下降预设度数c2，其他工艺参数均为：氨气流量为3500～4500sccm，硅烷流量为450～600sccm，射频功率为2000～3000w，持续时间为250～300s，占空比为5∶50，压强为180～200Pa；镀氮化硅减反射膜过程结束，依次进行抽真空、压力测试、循环吹扫及充氮气后，将所述石墨舟出炉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴浚鑫科技有限公司，未经江阴浚鑫科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010570483.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
