[发明专利]一种硅片手指印去除方法及清洗方法无效
申请号: | 201010571035.2 | 申请日: | 2010-12-02 |
公开(公告)号: | CN102185013A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 王守志;殷立明;王竞争;赵静;祝耀华 | 申请(专利权)人: | 江阴浚鑫科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B08B3/08 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 214443 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅片手指印去除方法,包括步骤:1)采用纯水对硅片进行超声清洗;2)用丙酮和酒精的混合溶液对硅片进行浸泡;3)挥发硅片表面的丙酮和酒精的混合溶液。本发明通过采用具有挥发性的丙酮和酒精的混合溶液对硅片进行浸泡,使有机溶剂和有机脂类充分互溶,然后通过挥发掉丙酮和酒精的混合溶液,则可同时将互溶的有机脂带走,使得去除手指印的硅片效率提高0.18%。本发明在不影响正常工艺稳定和不增加工艺时间的基础上,最大限度地去除手指印,从而提高硅太阳电池的电性能,提高硅太阳电池的生产效率,并极大地降低色差片的比例。本发明还公开了包括上述硅片手指印去除方法步骤的硅片的清洗方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 指印 去除 方法 清洗 | ||
【主权项】:
一种硅片手指印去除方法,其特征在于,包括步骤:1)采用纯水对硅片进行超声清洗;2)用丙酮和酒精的混合溶液对硅片进行浸泡;3)挥发硅片表面的丙酮和酒精的混合溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的