[发明专利]无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法无效
| 申请号： | 201010571073.8 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102486618A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇;郝静安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/32 | 分类号： | G03F7/32;G03F7/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体技术领域的无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，包括：使用表面活性剂溶液对所述半导体晶圆进行预显影，所述半导体晶圆的表面涂覆光刻胶层且已完成曝光和曝光后烘烤处理，所述预显影使所述光刻胶层的表面由疏水性变为亲水性；使用显影液对所述半导体晶圆进行显影，使曝光图案显现在所述光刻胶层上；对所述半导体晶圆进行清洗，去除溶解有光刻胶的显影液和多余的显影液。本发明在向半导体晶圆表面喷洒显影液前，先向光刻胶层表面喷洒表面活性剂溶液，对光刻胶层进行预显影，使光刻胶层表面从疏水性变为亲水性，以使后续喷洒的显影液充分与光刻胶表面接触，并减少溶解了的聚合物黏附在光刻胶表面，最终减少显影后光刻胶残留缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 水表 涂层 浸没 光刻 显影 方法 | ||
【主权项】：
一种无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法，其特征在于，包括：使用表面活性剂溶液对所述半导体晶圆进行预显影，所述半导体晶圆的表面涂覆光刻胶层且已完成曝光和曝光后烘烤处理，所述预显影使所述光刻胶层的表面由疏水性变为亲水性；使用显影液对所述半导体晶圆进行显影，使曝光图案显现在所述光刻胶层上；对所述半导体晶圆进行清洗，去除溶解有光刻胶的显影液和多余的显影液。
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