[发明专利]一种发光二极管外延片、芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 201010571463.5 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479891A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 严光能 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C14/04;C23C14/10;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管外延片、芯片及其制作方法。该发光二极管外延片的制作方法，具体如下：首先，提供发光二极管晶圆片；其次，将具有通孔的掩模板紧贴在所述晶圆片的表面，通过真空镀膜机在所述晶圆片的表面形成折射率小于1.5的粗糙结构；然后，分离所述掩模板，得到发光二极管外延片。该方法通过掩模板在晶圆片的表面形成粗糙结构形成一种发光二极管外延片，使得由该发光二极管外延片制作得到的发光二极管芯片的出光效率得到有效提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供发光二极管晶圆片；步骤二、将具有通孔的掩模板紧贴在所述晶圆片的表面，通过真空镀膜机在所述晶圆片的表面形成折射率小于1.5的粗糙结构；步骤三、分离所述掩模板，得到发光二极管外延片。
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