[发明专利]一种TiWN/MoS2复合薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201010572022.7 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102094172A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李长生;莫超超;唐华;范有志;胡志立 | 申请（专利权）人： | 无锡润鹏复合新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王雪梅 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TiWN/MoS2复合薄膜的制备方法，采用Ti靶、W靶和MoS2靶为原料，在氮气和/或氩气保护下，通过磁控溅射法在经表面抛光以及清洗处理过的基材上依次溅射得到TiWN薄膜和MoS2薄膜，从而得到TiWN/MoS2复合薄膜，其中，TiWN薄膜为硬膜，MoS2薄膜为对硬膜起保护作用的软膜，所述复合膜具有良好的耐磨减摩性能，可以作为机械零件的保护涂层，起到提高机械性能和延长使用寿命的作用，且生产条件要求低、工艺简单、成本低廉、产率高，适合大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tiwn mos sub 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TiWN/MoS2复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)预处理：选取基材，并对基材进行表面抛光以及清洗处理；(2)制备TiWN薄膜：在氮气和氩气氛围中，采用Ti靶和W靶通过磁控溅射法在上述基材表面溅射TiWN薄膜；(3)制备MoS2薄膜：在氩气氛围中，采用MoS2靶通过磁控溅射法在上述TiWN薄膜上溅射MoS2薄膜，得到TiWN/MoS2复合薄膜。
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