[发明专利]半导体发光芯片制造方法无效
| 申请号： | 201010573087.3 | 申请日： | 2010-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102487111A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L21/302 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体发光芯片制造方法，包括步骤：1)提供一具有磊晶层的基板，该磊晶层包括在基板上依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，磊晶层具有贯穿第一半导体层、发光层及第二半导体层的缺陷；2)蚀刻第二半导体层表面，磊晶层的缺陷被蚀刻而形成深入发光层的凹槽；3)在第一半导体层及第二半导体层上分别制作电极。该制造方法可有效提升半导体发光芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光芯片制造方法，包括步骤：1)提供具有磊晶层的基板，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，磊晶层具有贯穿其第一半导体层、发光层及第二半导体层的缺陷；2)蚀刻磊晶层，磊晶层的缺陷被蚀刻而形成深入到发光层的凹槽；3)分别形成电连接第一半导体层及第二半导体层的第一电极及第二电极。
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