[发明专利]相位移掩模版及其制造方法、雾状缺陷检测方法有效

专利信息
申请号: 201010573244.0 申请日: 2010-12-03
公开(公告)号: CN102486604A 公开(公告)日: 2012-06-06
发明(设计)人: 胡华勇;张士健;林益世 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G03F1/26 分类号: G03F1/26;G03F1/44;G03F7/20;H01L21/66;H01L21/02;G01N21/956
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种半导体技术领域的相位移掩模版及其制造方法、雾状缺陷检测方法。相位移掩模版包括:掩模版基板;至少一个切割滑道;多个器件图案;至少一个检测图案;挡光区域。相位移掩模版的制造方法包括:提供掩模版基板;制备至少一个检测图案;制备多个器件图案;制作挡光区域。相位移掩模版的雾状缺陷检测方法包括:将相位移掩模版上的图案曝在晶圆光刻胶层上;进行显影处理;对所述晶圆进行缺陷检测扫描,当晶圆的检测图案上出现雾状致缺陷且晶圆的器件图案上也出现雾状致缺陷时,相位移掩模版检测不合格。本发明能及时准确地判断出相位移掩模版需要清洗的时间,实现了在线检测,且所用时间短、成本低。
搜索关键词: 相位 模版 及其 制造 方法 雾状 缺陷 检测
【主权项】:
一种相位移掩模版,其特征在于,包括:掩模版基板,所述掩模版基板包括:透明基材;位于所述透明基材上的相位移层;位于所述相位移层上的遮蔽层;位于所述掩模版基板上的至少一个切割滑道;位于除所述切割滑道所在区域外的所述掩模版基板上的多个器件图案;位于所述掩模版基板上且位于所述切割滑道所在区域内的至少一个检测图案,所述检测图案用于检测所述相位移掩模版上的雾状缺陷;位于掩模版基板边缘的挡光区域。
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