[发明专利]金属前介质层及其制造方法有效
| 申请号： | 201010573303.4 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102487057A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李敏;徐强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/00;H01L21/31;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种金属前介质层，包括介质层、位于介质层上的保护层，还包括位于介质层和保护层之间的过渡层，所述过渡层与介质层、保护层之间附着力大于介质层和保护层之间的附着力。一种金属前介质层的制造方法，提供衬底；在衬底上形成介质层；在介质层上形成过渡层；在过渡层上形成保护层，所述过渡层与介质层、保护层之间附着力大于介质层和保护层之间的附着力。所述过渡层的性质与介质层的性质接近，使层间附着力较大，从而提高了金属前介质层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属前介质层，包括介质层、位于介质层上的保护层，其特征在于，还包括位于介质层和保护层之间的过渡层，所述过渡层与介质层、保护层之间附着力大于介质层和保护层之间的附着力。
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