[发明专利]用于太阳电池表面抗反射的蛾眼结构的制备方法无效
| 申请号： | 201010573806.1 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102097535A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 陈熙;樊中朝;李宁;宋国锋;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于太阳电池表面抗反射的蛾眼结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一太阳能电池所用的外延片，对外延片进行清洗；步骤2：在外延片上旋涂光刻胶；步骤3：对光刻胶进行前烘，形成样品；步骤4：采用双光束干涉曝光设备，对样品两次曝光、显影，形成二维周期光刻胶掩膜图形；步骤5：对显影后的样品进行后烘；步骤6：对样品进行干法刻蚀；步骤7：去除光刻胶掩膜图形，完成蛾眼结构的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 太阳电池 表面 反射 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于太阳电池表面抗反射的蛾眼结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一太阳能电池所用的外延片，对外延片进行清洗；步骤2：在外延片上旋涂光刻胶；步骤3：对光刻胶进行前烘，形成样品；步骤4：采用双光束干涉曝光设备，对样品两次曝光、显影，形成二维周期光刻胶掩膜图形；步骤5：对显影后的样品进行后烘；步骤6：对样品进行于法刻蚀；步骤7：去除光刻胶掩膜图形，完成蛾眼结构的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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