[发明专利]一种垂直型NROM存储结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010573812.7 申请日: 2010-11-30
公开(公告)号: CN102479823A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 霍宗亮;刘明;刘璟;张满红 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L29/792 分类号: H01L29/792;H01L29/10;H01L21/336
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种垂直型NROM存储结构及其制备方法。该垂直型NROM存储结构包括:硅衬底;位于硅衬底表面的浅槽隔离区;位于硅衬底表面,被浅槽隔离区包围的漏极;位于漏极上方的竖直沟道;位于竖直沟道上端,被隔离介质包围的漏极区域;形成于竖直沟道表面的存储功能层堆栈结构;在沟道表面分隔存储功能层堆栈结构的隔离介质层;以及栅电极。本发明提供的垂直型NROM存储结构可以在一个存储单元中实现4-bit以上数据存储,由于引入了隔离介质来抑制相邻存储位之间的串扰,所以相比于平面结构的NROM器件,该结构可以满足进一步的变比要求。该存储器件有效利用了竖直方向的空间,极大的提高了集成密度。
搜索关键词: 一种 垂直 nrom 存储 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种垂直型NROM存储结构,其特征在于,包括:硅衬底;位于硅衬底表面的浅槽隔离区;位于硅衬底表面,被浅槽隔离区包围的漏极;位于漏极上方的竖直沟道;位于竖直沟道上端,被隔离介质包围的漏极区域;形成于竖直沟道表面的存储功能层堆栈结构;在沟道表面分隔存储功能层堆栈结构的隔离介质层;以及栅电极。
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