[发明专利]一种垂直型NROM存储结构及其制备方法有效
申请号: | 201010573812.7 | 申请日: | 2010-11-30 |
公开(公告)号: | CN102479823A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 霍宗亮;刘明;刘璟;张满红 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L29/792 | 分类号: | H01L29/792;H01L29/10;H01L21/336 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种垂直型NROM存储结构及其制备方法。该垂直型NROM存储结构包括:硅衬底;位于硅衬底表面的浅槽隔离区;位于硅衬底表面,被浅槽隔离区包围的漏极;位于漏极上方的竖直沟道;位于竖直沟道上端,被隔离介质包围的漏极区域;形成于竖直沟道表面的存储功能层堆栈结构;在沟道表面分隔存储功能层堆栈结构的隔离介质层;以及栅电极。本发明提供的垂直型NROM存储结构可以在一个存储单元中实现4-bit以上数据存储,由于引入了隔离介质来抑制相邻存储位之间的串扰,所以相比于平面结构的NROM器件,该结构可以满足进一步的变比要求。该存储器件有效利用了竖直方向的空间,极大的提高了集成密度。 | ||
搜索关键词: | 一种 垂直 nrom 存储 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种垂直型NROM存储结构,其特征在于,包括:硅衬底;位于硅衬底表面的浅槽隔离区;位于硅衬底表面,被浅槽隔离区包围的漏极;位于漏极上方的竖直沟道;位于竖直沟道上端,被隔离介质包围的漏极区域;形成于竖直沟道表面的存储功能层堆栈结构;在沟道表面分隔存储功能层堆栈结构的隔离介质层;以及栅电极。
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