[发明专利]存储器结构单元的操作方法、数据读取方法及集成电路有效
| 申请号： | 201010574083.7 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102298964A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;李明修;吴昭谊;施彦豪;王典彦 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变化存储器结构单元的操作方法、数据读取方法及集成电路。该集成电路相变化存储器可以通过引入第一电阻态于一些结构单元及存储器中，及第二电阻态于一些其它的结构单元及存储器中，来被预编码，以代表一数据组。在编码数据组之后，此集成电路相变化存储器被安装在衬底上，然后通过感测第一及第二电阻态，数据组可被读取，并将第一电阻态的结构单元转变成第三电阻态，将第二电阻态转变成第四电阻态。在焊接或其它热循环程序之后，第一及第二电阻态仍保持在感测限度内。使用适用于电路任务功能的高速率及低功率，第三及第四电阻态具有导致过渡态的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 单元 操作方法 数据 读取 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
一种操作相变化存储器结构单元的方法，其特征在于，包括：通过在该相变化存储器结构单元中的部分相变化存储器结构单元引发一第一电阻态来写入数据，其中该第一电阻态与该相变化存储器结构单元的其它部分相变化存储器结构单元的第二电阻态可区别，且该第一电阻态对应到具有一第一温度固化形态的一结晶相活动区域，该第二电阻态具有比第一电阻态更高的电阻，并具有一最小电阻，并对应到具有一第二形态的一结晶相活动区域；以及通过感测该第一及该第二电阻态，在相变化存储器结构单元中读取数据。
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