[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010574357.2 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479822A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明的半导体结构采用共用接触，即源区接触或漏区接触，利用源区或漏区与背栅区间的电容耦合来调节阈值电压，简化了制作工艺程序，能够提高集成度、降低生产成本。此外，非对称背栅结构设计，以及根据需要改变背栅区掺杂类型能够进一步提高阈值电压调节效果，改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括，SOI衬底，自上而下依次包括SOI层、第一氧化物埋层、接SOI层、第二氧化物埋层和衬底；浅沟槽隔离，嵌于所述SOI衬底中，位于所述第二氧化物埋层上；栅极，位于所述SOI衬底上；源漏区，位于所述栅极两侧；背栅区，接SOI层低电阻化后形成的区域；源漏区接触；其特征在于：所述背栅区至少包括接SOI层中位于源区或漏区下方和栅极下方的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010574357.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电源系统及混合上下电控制方法
- 下一篇：晶体管及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
