[发明专利]一种Al2O3-ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010575341.3 申请日: 2010-12-01
公开(公告)号: CN102034612A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 张跃;秦子;黄运华;廖庆亮;张铮 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01G9/04 分类号: H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48
代理公司: 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 代理人: 刘淑芬
地址: 100083 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种Al2O3-ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法,属于纳米材料技术领域。具体工艺步骤为:a.将等摩尔数的Zn(NO3)2和(CH2)6N4溶解于去离子水中配制成浓度为0.05~0.2M的反应溶液;b.将镀有ZnO晶种层的导电基底作为生长基底,直接放入上述溶液中,在80~100℃进行反应12~24小时,从而获得ZnO纳米棒阵列电极;c.用旋转涂覆法将氧化铝溶胶涂覆于ZnO纳米棒阵列电极表面,经过热处理后得到Al2O3-ZnO纳米棒阵列复合电极。本发明有效抑制了ZnO电极表面的腐蚀及Zn2+/dye配合物的产生;采用旋涂溶胶法工艺简单,可获得表面均一、面积大的Al2O3薄膜涂层;通过对溶胶的浓度、涂覆层数、烧结次数的调整可合理控制Al2O3薄膜涂层的厚度。利用该复合电极组装的染料敏化太阳能电池的性能得到了极大的稳定。
搜索关键词: 一种 al sub zno 纳米 阵列 复合 电极 制备 方法
【主权项】:
一种Al2O3‑ZnO纳米棒阵列复合电极的制备方法,其特征是具体工艺步骤如下:a.将等摩尔数的Zn(NO3)2和(CH2)6N4溶解于去离子水中配制成浓度为0.05~0.2M的反应溶液;b.将镀有ZnO晶种层的导电基底作为生长基底,直接放入上述溶液中,在80~100℃进行反应12~24小时,从而获得ZnO纳米棒阵列电极;c.用旋转涂覆法将氧化铝溶胶涂覆于ZnO纳米棒阵列电极表面,经过热处理后得到Al2O3‑ZnO纳米棒阵列复合电极。
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