[发明专利]基板载置台及其制造方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 201010576264.3 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102157423A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 南雅人;奥山幸一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/00;H01J37/32;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供不会损伤基板并有效地防止产生蚀刻斑的载置台。载置台(5A)具有例如由铝或不锈钢(SUS)等的导电性材料形成的基材(7)和在基材(7)上设置的绝缘膜(8)。绝缘膜(8)的上表面是载置FPD用玻璃基板(S)的基板载置面(50)。基板载置面(50)包括具有表面粗糙度Ra为2μm以上6μm以下的粗糙表面的粗化部(51)和包围该粗化部(51)的周围的表面粗糙度Ra小于2μm的平滑部(53)。 | ||
| 搜索关键词： | 基板载置台 及其 制造 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板载置台，其特征在于，包括：基材；和覆盖该基材的绝缘膜，通过所述绝缘膜形成载置基板的基板载置面，并且在该基板载置面具有表面粗糙度Ra为2μm以上6μm以下的粗化部、和在所述粗化部的周围设置的表面粗糙度Ra小于2μm的平滑部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
