[发明专利]一种等离子体辐射引发接枝制备荷负电纳滤膜的方法

摘要

本发明提供了一种荷负电纳滤膜的制备方法。本发明采用低温等离子体辐照预活化-浸泡接枝液-低温等离子体辐照接枝的方法对截留分子量为6,000～20,000的聚砜或者聚偏氟乙烯超滤平板膜或中空纤维膜中的接枝改性制备纳滤膜，其制备过程为：首先通过低温等离子体对基膜预活化，增加基膜的表面能，使基膜的亲水性增强，然后将其浸泡在含有单体和交联剂的溶液中一定时间，取出干燥后再次在等离子体中辐照，通过自由基接枝共聚反应将单体接枝到基膜表面制得纳滤膜。所制备的纳滤膜带有负电荷，通量大，抗污染性好，使用寿命长；所使用的单体方便易得，价格低廉；低温等离子体仅对基膜表面改性，不会影响材料的本体性能，而且操作简单、方便易行，室温下即可完成。

主权项

一种等离子体辐射引发接枝制备荷负电纳滤膜的方法，其特征在于包含如下步骤：a)将基膜在15℃～50℃的温度下干燥1h～4h，然后置于低温等离子体中辐照，照射时间为10s～120s，照射功率为30w～60w，真空度为30kPa～50kPa。b)向溶剂中加入含有磺酸基的单体和交联剂，搅拌使其充分溶解，得到单体的质量百分比浓度为3％～30％，交联剂的质量百分比浓度为0.05％～2％的混合溶液A。将步骤a)活化过的基膜浸泡在溶液A中10min～150min，取出后在15℃～50℃的温度下干燥1h～4h。c)将步骤b)得到的浸渍膜置于低温等离子体中辐照，照射时间为20s～120s，照射功率为30w～60w，真空度30kPa～50kPa。辐照后用去离子水浸泡12h～24h除去未反应的单体即得所述的荷负电纳滤膜。