[发明专利]利用低突波预调节来产生VPTAT和/或带隙电压的电路及方法有效
| 申请号： | 201010577751.1 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102176187A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | S·G·赫比斯特 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30;G05F3/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用来产生与绝对温度成比例的电压(VPTAT)和/或带有低1/f噪声的带隙电压输出(VGO)的电路和方法。第一基极-发射极电压支路被用来产生第一基极-发射极电压(VBE1)。第二基极-发射极电压支路被用来产生第二基极-发射极电压(VBE2)。该电路还包括第一电流预调节支路和/或第二电流预调节支路。基于VBE1和VBE2来产生VPTAT。CTAT支路可被用来产生与绝对温度互补的电压(VCTAT)，该电压与VPTAT相加可得到VGO。哪些晶体管处于第一基极-发射极电压支路、第二基极-发射极电压支路、第一电流预调节支路、第二电流预调节支路中和CTAT支路随时间改变。电流预调节支路被用来在晶体管被切入和切出各种其它的电路支路时将它们适当地预调节成具有适当量的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 低突波预 调节 产生 vptat 电压 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种用来产生与绝对温度成比例的电压(VPTAT)的电路，包括：由X个晶体管构成的一组晶体管，每个晶体管都包括基极以及集电极和发射极之间的电路路径；多个开关，被配置成选择性地改变如何使所述X个晶体管的至少一些被连接在电路内部；第一基极‑发射极电压支路，被配置成向第一基极‑发射极电压支路内的各个晶体管的电流路径提供第一量的电流，以产生第一基极‑发射极电压(VBE1)；第二基极‑发射极电压支路，被配置成向第二基极‑发射极电压支路内的各个晶体管的电流路径提供第二量的电流，以产生第二基极‑发射极电压(VBE2)，其中第二量的电流小于第一量的电流；第一电流预调节支路，被配置成向第一电流预调节支路内的各个晶体管提供基本上与第一量的电流相等的电流；以及第二电流预调节支路，被配置来向第二电流预调节支路内的各个晶体管提供基本上与第二的电流相等的电流；其中所述VPTAT基于分别由第一基极‑发射极电压支路和第二基极‑发射极电压支路产生的第一基极‑发射极电压(VBE1)和第二基极‑发射极电压(VBE2)来产生；其中第一和第二预调节支路内的晶体管不被用来产生VBE1和VBE2；以及其中所述开关被用来随时间选择性地改变所述X个晶体管中的哪些处于第一基极‑发射极电压支路、第二基极‑发射极电压支路、第一电流预调节支路和第二电流预调节支路中。
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