[发明专利]阵列基板及其制造方法和电子纸显示器有效
申请号: | 201010577854.8 | 申请日: | 2010-12-02 |
公开(公告)号: | CN102487041A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
发明(设计)人: | 李文波;张卓;马占洁;王刚 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L29/786;H01L27/12;G02F1/167 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 华泽珍 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和电子纸显示器,方法包括:在第一衬底基板上沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体层薄膜,通过构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线的图案;再沉积半导体层薄膜,通过构图工艺形成包括半导体层的图案;再沉积栅绝缘层薄膜和栅金属薄膜,通过构图工艺形成包括栅绝缘层、栅电极和栅线的图案;再沉积栅极保护层薄膜,通过构图工艺形成包括栅极保护层和过孔的图案;最后沉积像素电极薄膜,通过构图工艺形成包括像素电极的图案;像素电极通过过孔与漏电极连接。本发明技术方案采用顶栅式结构以遮挡环境光对TFT沟道的照射,降低了漏电流对阵列基板显示性能的影响,提高了阵列基板的显示质量。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 电子 显示器 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:在第一衬底基板上沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体层薄膜,通过构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线的图案;在形成上述图案的第一衬底基板上沉积半导体层薄膜,通过构图工艺形成包括半导体层的图案;在形成上述图案的第一衬底基板上沉积栅绝缘层薄膜和栅金属薄膜,通过构图工艺形成包括栅电极和栅线的图案;在形成上述图案的第一衬底基板上沉积栅极保护层薄膜,通过构图工艺形成包括栅极保护层和过孔的图案;在形成上述图案的第一衬底基板上沉积像素电极薄膜,通过构图工艺形成包括像素电极的图案;所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造