[发明专利]净化间环境检测方法无效
| 申请号： | 201010578161.0 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102569112A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄玮;刘志成;丁伟尧;张贤识 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N33/00;G01N21/47;G03F7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种净化间环境检测方法，至少包括如下步骤：提供一化学放大光刻胶；然后，对所述化学放大光刻胶进行曝光及曝光后烘烤；待所述化学放大光刻胶上因曝光而产生的光酸与净化间内空气接触后，在所述化学放大光刻胶上形成T型结构；然后，再对所述T型结构进行数据测定。相较于现有技术，本发明是通过直接测量光刻胶T型形貌来检测净化间内空气中杂质对DUV光刻工艺的影响，检测获得的数据简单直观，且检测成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 净化 环境 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种净化间环境检测方法，至少包括如下步骤：提供一化学放大光刻胶；然后，对所述化学放大光刻胶进行曝光及曝光后烘烤；待所述化学放大光刻胶上因曝光而产生的光酸与净化间内空气接触后，在所述化学放大光刻胶上形成T型结构；然后，再对所述T型结构进行数据测定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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