[发明专利]静电电容型输入装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010578302.9 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102096532A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 松尾睦 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供静电电容型输入装置及其制造方法。一种静电电容型输入装置包括：第一透明导电膜，构成第一电极和第二电极，第一电极在基板上的输入区域中在第一方向上延伸，第二电极在输入区域中在与第一方向交叉的第二方向上延伸并在与第一电极的交叉部分中断开；层间绝缘膜，至少形成在与交叉部分重叠的区域中；以及第二透明导电膜，形成在层间绝缘膜上并具有比第一透明导电膜的薄层电阻低的薄层电阻，该第二透明导电膜构成中继电极和周边配线，该中继电极通过在没有形成层间绝缘膜的区域中电连接到第二电极而使在交叉部分中断开的第二电极电连接，周边配线在基板的位于输入区域外侧的周边区域中延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 电容 输入 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种静电电容型输入装置，包括：第一透明导电膜，构成第一电极和第二电极，该第一电极在基板上的输入区域中在第一方向上延伸，该第二电极在该输入区域中在与该第一方向交叉的第二方向上延伸并在与该第一电极的交叉部分中断开；层间绝缘膜，至少形成在与该交叉部分重叠的区域中；以及第二透明导电膜，形成在该层间绝缘膜上并具有比该第一透明导电膜的薄层电阻低的薄层电阻，该第二透明导电膜构成中继电极和周边配线，该中继电极通过在没有形成该层间绝缘膜的区域中电连接到该第二电极而使在该交叉部分中断开的该第二电极电连接，该周边配线在该基板的位于该输入区域外侧的周边区域中延伸。
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