[发明专利]一种高迁移率CMOS集成单元

摘要

本发明公开了一种高迁移率CMOS集成单元，属于半导体集成技术领域。该高迁移率CMOS集成单元将高电子迁移率的铟镓砷NMOSFET和高空穴迁移率的锗PMOSFET平面集成在单晶硅衬底上，可以实现具有不同沟道材料且特性优异的集成CMOS器件，具有取代传统硅基CMOS器件的潜力，在后摩尔时代具有实际的应用价值。该CMOS集成单元还可以与传统硅基器件和III-V族化合物半导体器件等器件集成在一起，实现多功能模块单片集成，降低功耗，提高性能。

主权项

一种高迁移率CMOS集成单元，其特征在于，该高迁移率CMOS集成单元包括单晶硅衬底、缓冲层、势垒层、P型轻掺杂铟镓砷单晶层、N型重掺杂铟镓砷单晶层、第一阻挡层、第二阻挡层、第一N型重掺杂锗单晶层、第二N型重掺杂锗单晶层、N型轻掺杂锗单晶层、P型重掺杂锗单晶层、第三N型重掺杂锗单晶层、铟镓砷NMOSFET栅氧化层、铟镓砷NMOSFET栅金属层、铟镓砷NMOSFET栅侧墙、铟镓砷NMOSFET源漏引出电极、隔离区、锗PMOSFET栅钝化层、锗PMOSFET栅氧化层、锗PMOSFET栅金属层、锗PMOSFET栅侧墙和锗PMOSFET源漏引出电极，其中铟镓砷NMOSFET以所述P型轻掺杂铟镓砷单晶层为沟道和衬底材料；锗PMOSFET以所述N型轻掺杂锗单晶层为沟道和衬底材料；所述隔离区将所述铟镓砷NMOSFET和所述锗PMOSFET相隔离；所述单晶硅衬底位于所述高迁移率CMOS集成单元的底部；所述缓冲层叠置在所述单晶硅衬底之上；所述势垒层叠置在所述缓冲层之上；所述P型轻掺杂铟镓砷单晶层叠置在所述势垒层之上。