[发明专利]体内场调制的体硅LDMOS器件无效
| 申请号： | 201010579333.6 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102082177A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 梁涛;罗波;孙镇 | 申请（专利权）人： | 四川长虹电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体功率器件的技术。本发明解决了现有常规体硅LDMOS器件只关注该器件表面电场优化的问题，提供了一种体内场调制的体硅LDMOS器件，其技术方案可概括为：体内场调制的体硅LDMOS器件，其在第一型杂质衬底中水平设置有第二型杂质浮空层，第二型杂质浮空层与第二型杂质外延层之间的垂直距离大于零。本发明的有益效果是，其在第一型杂质衬底中引入第二型杂质浮空层电荷，所引入的电荷与第一型杂质衬底相互作用会增加该器件的表面场，同时其促使耗尽层向第一型杂质衬底延伸，减小该器件纵向电场强度，且第二型杂质浮空层能够对于器件漂移区中横向电场与纵向电场进行调制，适用于体硅LDMOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 体内 调制 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
体内场调制的体硅LDMOS器件，包括源极、漏极、第一型杂质衬底及第二型杂质外延层，所述第一型杂质衬底设置在水平面，第二型杂质外延层设置在第一型杂质衬底上，其特征在于，还包括第二型杂质浮空层，所述第二型杂质浮空层水平设置在第一型杂质衬底中，第二型杂质浮空层与第二型杂质外延层之间的垂直距离大于零，所述第二型杂质浮空层与第二型杂质外延层的导电类型相同。
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