[发明专利]一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法

摘要

本发明涉及一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法，以锑、铅、铟、锌或银等盐，及硒、碲和硫的无机化合物物为原料，以乙二醇或丙三醇等为溶剂制备前驱体溶液，以联氨或乙二胺等为还原剂，在180℃至280℃条件下，使最初与前驱体溶液隔离的液态还原剂蒸发为气体分子，逐渐融入前驱体溶液中将前驱体溶液中的溶质还原并经热处理形成目标产物。与现有技术相比，本发明物相准确，纯度高，产率接近100％。整个工艺使用的原料便宜易得，反应过程中避免使用任何模板和表面活性剂及络合剂，工艺简单，容易实现规模化生产，可用于微型热电、光电器件、相变存储器件的微型化和集成化。

主权项

一种低维纳米结构的硫族化合物的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)驱体溶液的配置：将硫族元素化合物溶于溶剂中，制得0.01～0.1mol/L的硫族元素的酸溶液，另将锑、铅、铟、锌或银的盐溶于溶剂中，制备0.01～0.1mol/L的锑、铅、铟、锌或银盐溶液；将上述两种溶液充分混合，即制成均匀稳定的前驱体溶液；(2)共还原处理：将步骤(1)得到的前驱体溶液承载在基片上或坩埚内，然后将其置于密封还原装置中，控制装置的温度为室温至180温度条件下，采用还原性气体对前驱体溶液进行共还原10～30分钟，得到结晶程度较低的硫族化合物低维纳米结构；(3)热处理：在还原性气体的气氛下，对步骤(2)得到的结晶程度较低的硫族化合物低维纳米结构在180℃～280℃条件下恒温生长0.5～12小时，然后自然冷却至室温，得到的产物均匀沉积在基片上或坩埚内，即为产品。