[发明专利]一种变频微波炉用高压二极管及其生产工艺无效
申请号: | 201010581249.8 | 申请日: | 2010-12-10 |
公开(公告)号: | CN102064107A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 王军明;刘长蔚;牛宝钢;崔俊发;谷月清;梁效峰;范玉丰;宋进虎 | 申请(专利权)人: | 天津中环半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L29/861;H01L25/07 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 莫琪 |
地址: | 300384 天津市南开区新技*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种变频微波炉用高压二极管及其生产工艺,其结构为多枚二极管方向相同叠放在一起,两端加两个P型硅片,单个二极管硅芯片结构为P+NN+型,采用磷硼扩散、合金、切割、组装、钝化、封装等工艺,提高了变频微波炉用高压二极管的耐压能力、抗浪涌能力,降低了开关损耗和功耗,提高了可靠性,使变频微波炉的火力均匀调控而不被毁坏,保证了微波炉的可靠性和使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 变频 微波炉 高压 二极管 及其 生产工艺 | ||
【主权项】:
1、一种变频微波炉用高压二极管的生产工艺,其特征在于包括如下次序的步骤:1)扩散前处理:通过酸、碱、去离子水等多道工序,对硅片表面进行化学处理;2)磷硼扩散:清洗干净的原始硅片,在1200~1250℃扩散炉中恒温扩散;3)扩散后处理:用酸、去离子水超声清洗,使硅片分离并去除氧化膜;4)扩散检验:测试扩散后硅片的方块电阻、结深、反向恢复时间;5)铂扩散:扩入金属铂,减小反向恢复时间,提高频率;6)喷砂:用金刚砂对硅片表面进行均匀的粗面化;7)镀镍、镀金:将喷砂后的硅片去砂、清洗、在专用镀槽中进行镀镍、镀金,干燥;8)合金:将镀镍后的硅片,铅锡焊片,按顺序装入模具,放进200~250℃的烧结炉中进行烧结合金;9) 切断:用切断机将合金后的硅块切割成所需大小的管芯;10)中测:用正向测试仪测试管芯正向压降;11) 腐蚀:将测试后的管芯进行酸腐蚀;12)组装:将腐蚀后的管芯、引线装入模具,放进200~250℃的烧结炉中进行烧结;13)清洗:组装后的管芯装入清洗模具进行清洗;14)钝化保护:将组装后的管芯清洗干净后,涂保护胶并固化;15)封装:将固化后的管芯装入塑封模具封装;16)后固化:将塑封后的高压二极管放入烘箱进行后固化,后固化温度100~150℃ 。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造