[发明专利]一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法有效
| 申请号： | 201010583561.0 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102539467A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;龚岳峰;刘燕;吴良才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N25/12 | 分类号： | G01N25/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，该方法包括以下步骤：步骤一、对要分析的各个相变材料进行测试，提取它们在同等升温速率下的电阻和温度关系曲线；步骤二、对各个相变材料的电阻和温度关系曲线的拟合函数进行一阶导数求导，通过一阶导数曲线分析比较各相变材料的结晶温度；步骤三、对各个相变材料的拟合函数进行二阶导数求导，通过二阶导数曲线分析比较各相变材料的结晶速率。利用该分析方法可以对多种相变材料进行比较，从而得到准确的比较结果，选取出最为合适的相变材料，有利于相变材料在器件操作应用中的保持力和操作速率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分析 相变 材料 结晶 速率 温度 方法 | ||
【主权项】：
一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、对要分析的各个相变材料进行测试，提取它们在同等升温速率下的电阻和温度关系曲线；步骤二、提取各个相变材料的电阻和温度关系曲线的拟合函数，并对所述拟合函数进行一阶导数求导，从而得到一阶导数曲线，通过各个相变材料的一阶导数曲线分析比较各相变材料的结晶温度；步骤三、对各个相变材料的电阻和温度关系曲线的拟合函数进行二阶导数求导，从而得到二阶导数曲线，通过各个相变材料的二阶导数曲线分析比较各相变材料的结晶速率。
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