[发明专利]半导体器件结终端结构

摘要

本发明公开了一种半导体器件结终端结构，其具有较低的表面电场和提升的击穿电压。其包括：浮空双层掺杂区与浮空沟槽区由内向外交替紧密排列，构成横向的多层结构，并向外无间断地延伸至沟道截止区。该浮空双层掺杂区由重掺杂浓度的第一导电类型区和适当浓度的第二导电类型区构成，其第一导电类型区由器件上表面向下延伸至一定深度，第二导电类型区位于第一导电类型区之下。

主权项

一种半导体器件结构，该结构包括：一个或多个有源器件区域；由重掺杂浓度的第一导电类型区和轻掺杂的第二导电类型区构成的双层掺杂区，所述的第一导电类型区由器件上表面向下延伸至第一深度位置，第二导电类型区由第一深度位置向下延伸至第二深度位置。由轻掺杂的第二导电类型区构成的单层掺杂区，所述的第二导电类型区由器件上表面向下延伸至第二深度位置。所述的双层掺杂区或单层掺杂区，与沟槽区由内向外交替紧密排列，构成无间断的横向多层结构，包围着所述的有源器件区域；所述的横向多层结构的最外围为所述的双层掺杂区或单层掺杂区，其通过介质层与沟道截止区进行电压耦合。所述的双层掺杂区、单层掺杂区和沟槽区，电位均浮空。