[发明专利]数据写入方法、可复写式非易失性存储器控制器及系统有效

专利信息
申请号: 201010585052.1 申请日: 2010-12-08
公开(公告)号: CN102193747A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 辜芳立 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F11/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 中国台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种数据写入方法、可复写式非易失性存储器控制器及系统,用于将来自于主机系统的数据写入至可复写式非易失性存储器储存装置的多个存储器晶粒中。本数据写入方法包括判断主机系统的数据传输接口是相容于第一接口规格或第二接口规格。本数据写入方法也包括当主机系统的数据传输接口相容于第一接口规格时使用一般模式将数据写入至存储器晶粒中,并且当主机系统的数据传输接口相容于第二接口规格时使用省电模式将数据写入至存储器晶粒中。基此,本数据写入方法可有效地避免因数据传输接口所提供的电源不足而降低可复写式非易失性存储器储存装置的稳定性。
搜索关键词: 数据 写入 方法 复写 非易失性存储器 控制器 系统
【主权项】:
一种数据写入方法,用于将来自于一主机系统的数据写入至一可复写式非易失性存储器储存装置的多个存储器晶粒中,其中该可复写式非易失性存储器储存装置的一主机接口电性连接至该主机系统的一数据传输接口,该数据写入方法包括:依据一信息判断该数据传输接口是相容于一第一接口规格或一第二接口规格;当该数据传输接口相容于该第一接口规格时使用一般模式将该数据写入至所述存储器晶粒中,其中在该一般模式中所述存储器晶粒之中同时被作动的存储器晶粒的数目不大于一第一数量并且所述存储器晶粒是作动在一第一运作频率中;以及当该数据传输接口相容于该第二接口规格时使用一第一省电模式或一第二省电模式来将该数据写入至所述存储器晶粒中,其中在该第一省电模式中所述存储器晶粒之中同时被作动的存储器晶粒的数目不大于一第二数量,其中该第二数量小于该第一数量,其中在该第二省电模式中所述存储器晶粒是作动在一第二运作频率中,其中该第二运作频率小于该第一运作频率。
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