[发明专利]基于表面等离子体共振腔的超深亚波长可调谐纳米光刻结构与方法无效
| 申请号： | 201010585229.8 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102053491A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王钦华;葛伟豪;曹冰 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于表面等离子体共振腔的超深亚波长纳米光刻结构，所述光刻结构依次包括透明的上基底层、金属光栅层、光刻胶层和下基底层，其特征在于：在所述光刻胶层和下基底层之间设置有金属薄膜层，所述金属光栅层、光刻胶层和金属薄膜层一起构成表面等离子体的共振腔结构。本发明可以通过调节光刻胶的厚度来改变条纹的分辨率，突破了传统利用表面等离子体光刻技术在分辨率、调谐性以及曝光深度方面的局限性，为可调谐、超深曝光深度、大区域以及任意形状的二维光刻开辟了新的道路。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 表面 等离子体 共振 超深亚 波长 调谐 纳米 光刻 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种基于表面等离子体效应的超深亚波长纳米光刻结构，所述光刻结构依次包括透明的上基底层、金属光栅层、光刻胶层和下基底层，其特征在于：在所述光刻胶层和下基底层之间设置有金属薄膜层，所述金属光栅层、光刻胶层和金属薄膜层一起构成表面等离子体的共振腔结构。
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