[发明专利]倒角基板布线方法

摘要

本发明涉及一种倒角基板布线方法。该方法重要是包括以下步骤，这些步骤包括：借助于等离子体在所述基板(4)的外周环形区(400)上淀积一层保护材料(6)；借助于等离子体部分地蚀刻所述保护材料(6)，以便在待布线的所述基板(4)的正面(41)上保留保护材料环(60)，该环(60)距所述基板的边缘(43)一定距离延伸，并由此界定可到达的外周环形区(400’)；借助于在所述可到达的外周环形区(400’)上的等离子体对构成待布线的所述基板(4)的材料蚀刻一定厚度；借助于等离子体移除所述保护材料环(60)。本发明还涉及在电子学、光学或者光电子学领域中的应用。

主权项

一种倒角基板(4)布线方法，其特征在于，该方法包括以下步骤，这些步骤包括：‑借助于等离子体在所述基板(4)的外周环形区(400)上淀积一层保护材料(6)；‑借助于等离子体部分地蚀刻所述保护材料(6)，以便在待布线的所述基板(4)的正面(41)上保留保护材料环(60)，该环(60)距所述基板的边缘(43)一定距离延伸，并由此界定所述基板的缩小的外周环形区(400’)，等离子体可到达该缩小的外周环形区；‑产生部分蚀刻等离子体，该部分蚀刻等离子体被局限在可到达的所述缩小的外周环形区(400’)上，以便对该区中存在的材料蚀刻一定厚度；‑借助于等离子体移除所述保护材料环(60)。