[发明专利]高电压发光二极管

摘要

一种高电压发光二极管，包括：依次形成在生长衬底上的外延层、透明电极和钝化层，以及连接电极。外延层包括依次形成的N-类型限制层、活化层和P-类型限制层；连接电极包括N-打线焊盘、P-打线焊盘和条形电极。透明电极覆盖P-类型限制层。刻蚀外延层直至生长衬底，形成至少两个发光二极管单元。每个发光二极管单元形成至少一个半导体外延层平台，外延层平台的底面露出N-类型限制层。在半导体外延层平台底面和透明电极上方的钝化层的预定位置形成多个窗口；条形电极通过窗口形成在一个发光二极管单元的N-类型限制层上，并与预定的邻近的发光二极管单元的P-类型限制层电连接。条形电极把N-打线焊盘、多个发光二极管单元和P-打线焊盘以串联的方式形成电连接。

主权项

一种高电压发光二极管，包括：生长衬底、打线焊盘区域、至少两个发光二极管单元和连接电极；所述的打线焊盘区域包括N‑打线焊盘和P‑打线焊盘，所述的N‑打线焊盘和所述的P‑打线焊盘互相分离；所述的连接电极包括多个条形电极，所述的条形电极把所述的N‑打线焊盘、多个所述的发光二极管单元和所述的P‑打线焊盘形成串联形式的电连接；所述的发光二极管单元包括依次形成在所述的生长衬底上的外延层、透明电极、钝化层；所述的外延层包括依次形成的N‑类型限制层、活化层和P‑类型限制层；所述的透明电极覆盖所述的P‑类型限制层；其特征在于：每个所述的发光二极管单元的所述的半导体外延层上形成至少一个半导体外延层平台，所述的半导体外延层平台的底面露出所述的N‑类型限制层；所述的钝化层覆盖所述的打线焊盘区域、每个所述的发光二极管单元的所述的透明电极、所述的半导体外延层的侧面、所述的半导体外延层平台的侧面和底面和所述的发光二极管单元之间的生长衬底；所述的钝化层中包括多个窗口，所述的窗口包括N‑窗口、P‑窗口；每个所述的发光二极管单元的所述的半导体外延层平台底面的上方的所述的钝化层中形成至少一个所述的N‑窗口，使得所述的N‑窗口的底面露出所述的N‑类型限制层；每个所述的发光二极管单元的所述透明电极的上方的所述的钝化层中形成至少一个所述的P‑窗口，使得所述的P‑窗口的底面露出所述的透明电极；至少一个所述的窗口形成在所述的打线焊盘区域的上方的所述的钝化层中，使得所述的窗口的底面露出所述的生长衬底；所述的N‑打线焊盘和P‑打线焊盘通过所述的窗口分别形成在所述的打线焊盘区域的预定位置上；至少一个所述的发光二极管单元的所述的N‑类型限制层通过至少一条形成在所述的N‑窗口中的所述的条形电极与所述的N‑打线焊盘形成电连接；至少一个所述的发光二极管单元的所述的透明电极通过至少一条形成在所述的 P‑窗口中的所述的条形电极与所述的P‑打线焊盘形成电连接。