[发明专利]多接面III-V族光电池元件无效
| 申请号： | 201010586311.2 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102544179A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 章贤亮;吴展兴 | 申请（专利权）人： | 太聚能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示多接面III-V族光电池元件。所述多接面III-V族光电池元件包括一基板结构以及一多接面堆栈电池结构，设置于该基板结构上。所述基板结构包括一重掺杂锗基部区域、一轻掺杂磊晶成长锗层设置于该重掺杂锗基部区域上、及一相反极性的重掺杂区设置于该轻掺杂磊晶成长锗层的表面，其中该轻掺杂磊晶成长锗层和该相反极性的重掺杂区之间形成一浅接面。一多接面堆栈电池结构设置于该基板结构上。本发明有效地提升光电流净流出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多接面 iii 光电池 元件 | ||
【主权项】：
一种多接面III‑V族光电池元件，包括：一基板结构包括一重掺杂锗基部区域、一轻掺杂磊晶成长锗层设置于该重掺杂锗基部区域上、及一相反极性的重掺杂区设置于该轻掺杂磊晶成长锗层的表面，其中该轻掺杂磊晶成长锗层和该相反极性的重掺杂区之间形成一浅接面；以及一多接面堆栈电池结构，设置于该基板结构上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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