[发明专利]一种MOS型功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010586439.9 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102544083A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏飞;吴海平;谢怀亮 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331;H01L21/265;H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明所提供了一种MOS型功率器件制造方法，包括以下步骤：(1)于一半导体基体上形成第一氧化层；(2)于第一层氧化层之上形成多晶硅层；(3)于所述多晶硅层两侧形成阻挡层；(4)于所述半导体基体上形成第一导电类型阱区；(5)去除阻挡层，于第一导电类型阱区内形成第二导电类型源区；(6)在多晶硅层之上形成第二氧化层；(7)在源区和阱区表面上形成第一金属层；(8)在所述半导体基体的背面形成背面电极。该方法先在多晶硅层两侧形成阻挡层，使得在形成第一导电类型阱区的过程中，离子注入时由于阻挡层的横向阻挡，可在保持相同沟道长度的情况下，得到更深阱深的MOS型功率器件，可有效防止闩锁效应的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)于一半导体基体上形成第一氧化层；(2)于第一层氧化层之上形成多晶硅层；(3)于所述多晶硅层两侧形成阻挡层；(4)于所述半导体基体上形成第一导电类型阱区；(5)去除阻挡层，于第一导电类型阱区内形成第二导电类型源区；(6)在多晶硅层之上形成第二氧化层；(7)在源区和阱区表面上形成第一金属层；(8)在所述半导体基体的背面形成背面电极。
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