[发明专利]室温下一锅法制备高质量水相半导体纳米晶的方法有效
| 申请号： | 201010586447.3 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102071453A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张皓;周鼎;韩吉姝;杨柏 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/48;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体纳米晶制备技术领域，具体涉及一种在室温条件下“一锅法”制备高质量水相半导体纳米晶的新方法，该方法只需按化学计量比将各种反应物直接混合，经室温短时间放置即可得到不同荧光颜色的纳米晶，并且纳米晶存在生长平台，可以较长时间保持荧光颜色不变。在制备中所用原料为镉盐，离子型碲源和/或离子型硒源，巯基小分子，硼氢化钠，氨类化合物，其摩尔比可在1∶0.1～0.8∶1.5～2.4∶1.32～132.3∶5000～120000范围内任意调节。本发明采用反应原料直接混合的方法，在短时间内即可获得预期荧光发射波长的纳米晶，并且可以较长时间保持荧光颜色稳定，显著降低了制备成本，适合纳米晶的大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 一锅 法制 质量 半导体 纳米 方法 | ||
【主权项】：
室温下“一锅法”制备高质量水相半导体纳米晶的方法，其特征在于：在室温下敞开体系中加入镉盐，然后用水溶解，再依次加入巯基小分子、离子型碲源和/或离子型硒源，再加入NaBH4，最后在反应体系中加入浓度为50wt％～85wt％的N2H4·H2O溶液或浓度为25wt％～28wt％的氨水溶液，在室温下放置1.5～3小时后，即得到半导体纳米晶溶液；反应体系中，镉盐的浓度为1.0×10‑4～3.0×10‑2mol/L，镉盐、离子型碲源和/或离子型硒源、巯基小分子、NaBH4、氨类化合物的摩尔比为1∶0.1～0.8∶1.5～2.4∶1～132.3∶5000～120000。
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