[发明专利]一种提高航天用小内阻步进电机斩波频率的电路无效

专利信息
申请号: 201010586675.0 申请日: 2010-12-14
公开(公告)号: CN102082539A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 王永成;党源源;徐抒岩;宋克非 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: H02P8/14 分类号: H02P8/14
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人: 南小平
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种提高航天用小内阻步进电机斩波频率的电路属于航天用步进电机驱动控制领域,该电路包括微控制器或可编程逻辑器件、功率MOSFET驱动器、功率MOSFET、步进电机和续流二极管;微控制器或可编程逻辑器件用于产生步进电机的控制信号来控制功率MOSFET驱动器;功率MOSFET驱动器的输出信号控制功率MOSFET的栅极;步进电机绕组的一端与功率MOSFET的漏极连接,另一端与供电电源连接;续流二极管与步进电机并联,用于当步进电机的绕组电流有突变时为其续流。本发明使功率MOSFET的开关频率显著提高,从而显著提高高电压小内阻步进电机的斩波频率,进而提高驱动电路的效率。
搜索关键词: 一种 提高 航天 内阻 步进 电机 频率 电路
【主权项】:
一种提高航天用小内阻步进电机斩波频率的电路,其特征在于,该电路包括微控制器或可编程逻辑器件(1)、功率MOSFET驱动器(2)、功率MOSFET(3)、步进电机(4)和续流二极管(5);所述微控制器或可编程逻辑器件(1)与所述功率MOSFET驱动器(2)连接,用于产生步进电机(4)的控制信号来控制功率MOSFET驱动器(2);所述功率MOSFET驱动器(2)与所述功率MOSFET(3)的栅极连接,其输出信号控制功率MOSFET(3)的栅极;所述功率MOSFET(3)的源极接地;所述步进电机(4)绕组的一端与功率MOSFET(3)的漏极连接,另一端与供电电源连接;所述续流二极管(5)与步进电机(4)并联,用于当步进电机(4)的绕组电流有突变时为其续流。
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